TSMC 3D 디램 검토, 솔루스 헝가리 공장 중단, 쿨스 글래스기판 도금

TSMC의 AI용 3D 디램 검토 보도, AI 추론 확산이 만드는 새로운 메모리 계층 논의, 솔루스첨단소재 헝가리 공장 가동 중단과 정권 교체 리스크, 쿨스의 글래스기판 컨포멀 도금 기술을 정리했습니다.

⏱ 00:17디인포메이션 보도에 따르면 TSMC가 AI 연산에 쓰일 3D 디램 생산을 검토 중이며, 이 프로젝트는 엔비디아의 요청으로 추진되고 있다고 합니다. 로이터의 후속 보도에서는 TSMC 첨단 패키지 개발 담당 부사장이 프로젝트를 이끈다고 전했습니다. 다만 기술적 세부 정보는 아직 많지 않아, 공개된 키워드를 종합해 방향을 추정하는 단계입니다.

⏱ 01:243D 디램은 정의가 넓어 모호한데, 셀을 수직으로 쌓는 방식도 넓은 의미에서 3D 디램에 포함되고 HBM 역시 다이를 수직 적층한다는 점에서 한 종류로 볼 수 있습니다. 기존 2D 디램은 트랜지스터 위에 커패시터를 얹고 전하의 유무로 0과 1을 저장하며, 두 소자의 폭을 줄여 집적도를 높여 왔습니다.

그러나 미세화 속도가 둔화되면서 한계가 거론되고 있어, 소자를 눕혀 위로 쌓는 방식이 대안으로 검토되고 있습니다. 낸드플래시가 수백 단으로 적층된 것처럼 디램도 수직으로 쌓으면 좁은 면적에 더 많은 데이터를 담을 수 있다는 논리입니다. 발표자가 검색한 TSMC 명의 미국 등록 특허는 여섯 건이었고 실제로는 더 많을 수 있으며, 대부분 2020년 이후 공개된 것으로 보입니다.

⏱ 04:11발표자는 TSMC가 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론과 정면으로 경쟁하기 위해 들어오는 것은 아니라고 봅니다. 메모리는 성능만큼 원가가 중요한데, 3사가 이미 갖춘 대규모 인프라와 고효율 생산 체계를 따라잡기 쉽지 않다는 설명입니다.

대신 기존 메모리 계층 사이에 새로운 계층을 만드는 방향일 가능성을 제시합니다. 메모리는 빠르지만 비싼 쪽에서 느리지만 싼 쪽으로 계층화되어 있어, 그 중간을 채우는 새 계층이 필요해지는 흐름이라는 해석입니다.

⏱ 06:00엔비디아는 GPU 외에도 LPU, CPU, CPX 등 여러 프로세서를 내놓고 있습니다. AI 연산이 학습에서 추론으로 넘어가면서 프리필과 디코드, 어텐션과 FFN 등으로 연산이 세분화되었고, 이에 맞춘 프로세서가 필요해졌다는 설명입니다. 프로세서마다 필요한 메모리도 달라서, LPU는 온칩 SRAM, GPU는 HBM, CPU는 LPDDR과 결합되는 식입니다.

올해 초 등장한 ICMS처럼 KV 캐시 증가에 대응하는 새 메모리 계층도 나오고 있습니다. 발표자는 엔비디아가 TSMC를 활용해 칩 바로 옆에 붙는 특수 메모리를 만들려는 것으로 해석했습니다.

⏱ 09:27현지 매체 보도에 따르면 솔루스첨단소재 헝가리 법인의 동박 생산 라인 일부가 가동 중단됐습니다. 인근 하천에서 원인 불명의 변색이 발견됐고, 당국은 구리 스크랩 용해 라인과 구리 함유 전해액의 제조 및 이송 중단을 요구했습니다. 발표자는 구리 도금에 쓰이는 황산구리 용액이 유출됐을 가능성이 높다고 보며, 황산구리에는 중금속 성분이 있어 생태계에 영향을 줄 수 있다고 설명합니다. 정확한 원인은 조사 결과를 기다려야 합니다.

동박은 구리 스크랩을 황산 용액에 녹여 황산구리를 만든 뒤, 티타늄 드럼을 음극으로 해 구리를 석출시켜 얇게 말아 만드는 공정입니다.

⏱ 12:30헝가리는 올해 4월 16년 만에 정권이 교체되었고, 신정부가 과거 투자 기업들의 환경 기준 준수를 엄격히 따지면서 배터리 기업들이 잇따라 제약을 받고 있습니다. SK온은 환경 블랙리스트에 올라 2년간 보조금을 배제당했다고 소개됐습니다. 발표자는 정책 방향이 정권마다 바뀌는 상황에서 해외 현지 공장은 메리트보다 리스크가 커질 수 있다고 봅니다. 중국 공장도 미중 관계에 따라 장비 반입이 제한될 수 있어 불확실성이 크다고 짚었습니다.

⏱ 14:57글래스 기판의 도금은 구멍을 구리로 채우는 풀필 방식과, 벽면만 얇게 코팅하는 컨포멀 방식으로 나뉩니다. 컨포멀 도금은 열팽창 차이로 생기는 유리 균열을 완화할 수 있어 이상적이지만, 스퍼터 증착이 구멍 안쪽까지 고르게 닿지 않아 중간이 끊기는 문제 때문에 구현이 어려웠습니다.

스타트업 쿨스는 폴리도파민(PDA)을 표면에 먼저 발라 구리 이온을 강하게 끌어당기는 방식을 제시했습니다. 끊어진 부분에 구리가 먼저 붙어 빈틈을 메운 뒤 전체 도금이 진행되는 원리로, 키스트와 공동 개발 중이며 샘플 제출 단계라고 합니다. 발표자는 이 기술이 풀필 도금에도 적용될 수 있다고 보았습니다.